FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

QFET® N-Channel MOSFET, от 6А до 10.9A, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения на- сопротивление (RDS (on)) и уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQPF8N80C

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766838

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное рассеяние мощности

59 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7

Высота

9.19мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.55 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.16мм

Серия

QFET

Типичное время задержки выключения

65 нс

Тип корпуса

TO-220F

Размеры

10.16 x 4.7 x 9.19мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

40 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

35 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1580 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1147 КБ
FQPF8N80C , pdf , 1269 КБ
Datasheet FQPF8N80C , pdf , 1265 КБ

FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F] - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация