FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220]
FQP6N80C - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой лавинной энергии. Это устройство подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
• Низкий заряд затвора (21 нКл) • Низкий Crss (8 пФ) • 100% испытание на лавину
![FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220]](/file/p_img/1766827.jpg)