FQP3P50, Транзистор P-MOSFET 500В 2.7A [TO-220], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor, новые планарные МОП-транзисторы QFET®, основанные на передовой запатентованной технологии, обеспечивают лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкого спектра приложений , включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения сопротивления во включенном состоянии (RDS (на )), а также снижение потерь при переключении за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP3P50

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766821

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.7

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное рассеяние мощности

85 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7

Высота

9.4мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

4,9 Ом

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

10.1мм

Серия

QFET

Типичное время задержки выключения

35 ns

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

510 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

FQP3P50-D-1809684 , pdf , 1133 КБ

FQP3P50, Транзистор P-MOSFET 500В 2.7A [TO-220] - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация