FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]
FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора• Лавинное тестирование 100%• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации• Улучшение потерь коммутации• Lower conduction loss• 175°C Maximum junction temperature rating
![FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]](/file/p_img/1766820.jpg)