ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]
Последняя цена
103 руб.
Сравнить
Описание
QFET® N-канальный МОП-транзистор, от 11А до 30А, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), осветительные балласты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления в открытом состоянии (RDS (вкл.)) И уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQP32N20C
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766819
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.082 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
50
Крутизна характеристики, S
20
Корпус
to-220
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
FQP32N20C , pdf
, 1209 КБ
Datasheet , pdf
, 816 КБ
Datasheet FQP32N20C , pdf
, 814 КБ
Datasheet FQP32N20C , pdf
, 1185 КБ