ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
Последняя цена
93 руб.
Сравнить
Описание
QFET® N-канальный МОП-транзистор, от 11А до 30А, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), осветительные балласты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления в открытом состоянии (RDS (вкл.)) И уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQP19N20C
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766817
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.5
Максимальный непрерывный ток стока
19 А
Максимальное рассеяние мощности
139 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7мм
Высота
9.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
170 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.1мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
135 ns
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
40,5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
830 pF @ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
FQPF19N20C , pdf
, 796 КБ
Datasheet FQP19N20C , pdf
, 792 КБ
Datasheet FQP19N20C , pdf
, 776 КБ