FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

• 100% лавинные испытания
• Типичный низкий заряд затвора 30 нКл
• Типичный низкий коэффициент сопротивления 100 пФ

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP17P10

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766815

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.7

Максимальный непрерывный ток стока

16,5 A

Максимальное рассеяние мощности

10 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7

Высота

9.4мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

10.1мм

Серия

QFET

Типичное время задержки выключения

45 ns

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

850 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

fqp17p10 , pdf , 685 КБ
Datasheet FQP17P10 , pdf , 513 КБ

FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220] - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация