ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQP13N50C
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766813
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.48 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
195
Крутизна характеристики, S
15
Корпус
to-220
Техническая документация
FQP13N50C , pdf
, 1211 КБ
Datasheet FQP13N50C , pdf
, 1109 КБ