FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
FQD19N10LTM - это силовой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом расширения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, аудиоусилителей и устройств с регулируемой импульсной мощностью.
• 100% лавинные испытания • 14 нКл Типичный низкий заряд затвора • 35 пФ Типичный низкий Crss
![FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]](/file/p_img/1766806.jpg)