ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQA36P15, Транзистор P-MOSFET 150В 36А [TO-3P] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQA36P15, Транзистор P-MOSFET 150В 36А [TO-3P]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQA36P15, Транзистор P-MOSFET 150В 36А [TO-3P]
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO3P
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQA36P15
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766800
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
6.5
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Максимальное рассеяние мощности
294 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
18.9мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
90 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Длина
15.8мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
155 нс
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.8 x 5 x 18.9мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
50 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2550 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
FQA36P15 , pdf
, 2374 КБ
Datasheet FQA36P15 , pdf
, 2370 КБ
Datasheet FQA36P15 , pdf
, 2334 КБ