FQA11N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQA11N90C_F109

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766798

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

6.5

Ширина

5 mm

Высота

20.1 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

900 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

130 ns

Время спада

85 ns

Длина

16.2 mm

Другие названия товара №

FQA11N90C_F109

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

450

Серия

FQA11N90C_F109

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

130 ns

Типичное время задержки при включении

60 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

FQA11N90C_F109 , pdf , 1190 КБ
Datasheet FQA11N90C-F109 , pdf , 1186 КБ
Datasheet FQA11N90C-F109 , pdf , 709 КБ

FQA11N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN] - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.

Техническая документация