ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS9953A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 2.9A [SOIC-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDS9953A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 2.9A [SOIC-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS9953A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 2.9A [SOIC-8]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDS9953A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766134
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.15
Максимальный непрерывный ток стока
2.9 A
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
2мм
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Длина
5мм
Серия
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
11 ns
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
4.5 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
2,5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
185 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Техническая документация
FDS9953A-D-1808901 , pdf
, 187 КБ