FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

FM - LV FET
Корпус SO-8

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDS4435BZ

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766123

Вес, г

0.15

Структура

p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

8.8

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.02 Ом/8.8А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

1.2

Крутизна характеристики, S

Корпус

soic-8

FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8] - характеристики, поставщики