ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F]
Последняя цена
77 руб.
Сравнить
Описание
N-канал 500V 4A (Tc) 28W (Tc) сквозное отверстие TO-220F
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDPF5N50UT
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766121
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
3.5
Максимальный непрерывный ток стока
4 A
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.9мм
Высота
16.07мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.36мм
Серия
UniFET
Типичное время задержки выключения
27 нс
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.36 x 4.9 x 16.07мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
11 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
485 pF @ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
FDPF5N50UT_D-2313059 , pdf
, 686 КБ
Datasheet , pdf
, 687 КБ