ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3]
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDP24N40
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766106
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное рассеяние мощности
227 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7мм
Высота
15.38мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
175 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
400 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.1мм
Серия
UniFET
Типичное время задержки выключения
110 нс
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.1 x 4.7 x 15.38мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
40 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2270 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
FDP24N40_D-2312657 , pdf
, 879 КБ
Datasheet FDP24N40 , pdf
, 879 КБ
Datasheet FDP24N40 , pdf
, 881 КБ