EVALPSE1BF12SICTOBO1, Evaluation Board, FF11MR12W1M1_B11/ FF23MR12W1M1_B1, SiC MOSFET
• Характеристики двойного импульса • Функциональные испытания повышающего и понижающего режима с использованием электрических нагрузок на входном или выходном каскаде • Максимальное напряжение питания 900 В
