DMG1013UWQ-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -0,54А, 0,31Вт, SOT323 - характеристики, поставщики

DMG1013UWQ-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -0,54А, 0,31Вт, SOT323

Последняя цена 37 руб.

DMG1013UWQ-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -0,54А, 0,31Вт, SOT323

Сравнить

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS:

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMG1013UWQ-7

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2313347

Технические параметры

Вес, г

0.02

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Diodes Incorporated

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

DMG1013 ->

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

SC-70, SOT-323

Supplier Device Package

SOT-323

Конфигурация

Single

Тип транзистора

1 P-Channel

Полярность транзистора

P-Channel

Технология

Si

Квалификация

AEC-Q101

Id - непрерывный ток утечки

820 mA

Qg - заряд затвора

622.4 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

6 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Время нарастания

8.1 ns

Время спада

20.7 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.9 S

Типичное время задержки выключения

28.4 ns

Типичное время задержки при включении

5.1 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

820mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

59.76pF @ 16V

Power Dissipation (Max)

310mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 430mA, 4.5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±6V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

820mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

310mW

Rds On - Drain-Source Resistance

750mО© @ 430mA,4.5V

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet DMG1013UWQ-7 , pdf , 437 КБ
Datasheet DMG1013UWQ-7 , pdf , 282 КБ
Datasheet , pdf , 266 КБ