DGD2103S8-13, Драйвер БТИЗ / МОП-транзистора, полумостовой, 10В до 20В, SOIC-14, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Gate Drivers

ИС драйвера полумостового затвора инвертирующий, неинвертирующий 8-SO

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DGD2103S8-13

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1201684

Технические параметры

Количество каналов

2канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Максимальное Напряжение Питания

20В

Минимальное Напряжение Питания

10В

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Привода

SOIC

Задержка по Входу

680нс

Задержка Выхода

150нс

Конфигурация Привода

полумост

Power Switch Type

IGBT, MOSFET

Вес, г

Input Type

Inverting, Non-Inverting

Sink Current

600мА

Source Current

290мА

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3 - 168 часов

Number of Drivers

Channel Type

Independent

Current - Peak Output (Source, Sink)

290mA, 600mA

Driven Configuration

Half-Bridge

ECCN

EAR99

Gate Type

IGBT, N-Channel MOSFET

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

HTSUS

8542.39.0001

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Rise / Fall Time (Typ)

100ns, 35ns

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SO

Voltage - Supply

10V ~ 20V

Logic Voltage - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

REACH Status

REACH Unaffected

Техническая документация

Datasheet DGD2103S8-13 , pdf , 921 КБ
Datasheet DGD2103S8-13 , pdf , 827 КБ

DGD2103S8-13, Драйвер БТИЗ / МОП-транзистора, полумостовой, 10В до 20В, SOIC-14 - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация