DG409DY-T1-E3, Аналоговый мультиплексор, 4:1, 2 схемы, 40Ом, 10мкА, ± 5В до ± 20В, SOIC-16
• Низкий уровень инжекции заряда 20 пК • Быстрое время перехода 160 нс • Низкое энергопотребление 10 мкА • Уменьшение ошибок переключения • Уменьшение сбоев • Повышение пропускной способности данных • Уменьшение мощности потребление • Повышенная прочность