MMBD4148SE, Диодная сборка, 2 диода, последовательные, 100В, 200мА [SOT-23-3]
![MMBD4148SE, Диодная сборка, 2 диода, последовательные, 100В, 200мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1783140.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MMBD4148SE
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 100 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1 |
| при Iпр.,А | 0.01 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 4 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-23-3 |
Импульсные диоды малой мощности, Fairchild Semiconductor
LL4148, Диод выпрямительный SMALL SIGNAL GP, [SOD-80]
![LL4148, Диод выпрямительный SMALL SIGNAL GP, [SOD-80]](/file/p_img/1777616.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, LL4148
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1 |
| при Iпр.,А | 0.01 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 4 |
| Рабочая температура,С | -55…+175 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-80 / MiniMELF |
Импульсные диоды малой мощности, Fairchild Semiconductor
FDLL300A, Диод импульсный 1A 125В [SOD-80]
![FDLL300A, Диод импульсный 1A 125В [SOD-80]](/file/p_img/1766083.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDLL300A
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 125 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 150 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 1 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 0.001 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 0.68 |
| при Iпр.,А | 0.001 |
| Общая емкость Сд,пФ | 6 |
| Рабочая температура,С | -65…175 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sod80 |
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
BAW56LT3G, Диодная сборка, 2 диода, общий анод, 90В, 150мА [SOT-23-3]
![BAW56LT3G, Диодная сборка, 2 диода, общий анод, 90В, 150мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1758392.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAW56LT3G
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
BAV99WT1G, Диод +150 (Tj) 6ns 1.25V 150mA 215mA Dual -65 (Tj) 100V 300mW 1uA 100V [SOT-323]
![BAV99WT1G, Диод +150 (Tj) 6ns 1.25V 150mA 215mA Dual -65 (Tj) 100V 300mW 1uA 100V [SOT-323]](/file/p_img/1758390.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAV99WT1G
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
BAV99LT1G, Диод 6нс 100В 215мА [SOT-23]
![BAV99LT1G, Диод 6нс 100В 215мА [SOT-23]](/file/p_img/1758384.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAV99LT1G
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.215 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 6 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-23-3 |
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
BAV70LT1G, Диод (=КД704АС9), [SOT-23]
![BAV70LT1G, Диод (=КД704АС9), [SOT-23]](/file/p_img/1758373.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAV70LT1G
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 6 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-23-3 |
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
BAS16HT1G, Диод импульсный 6нс 100В 200мА, [SOD-323]
![BAS16HT1G, Диод импульсный 6нс 100В 200мА, [SOD-323]](/file/p_img/1758263.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAS16HT1G
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 30 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 6 |
| Общая емкость Сд,пФ | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-323 |
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
BAS16LT1G, Диод импульсный 6нс 75В 250мА [SOT-23]
![BAS16LT1G, Диод импульсный 6нс 75В 250мА [SOT-23]](/file/p_img/1758260.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAS16LT1G
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 30 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 6 |
| Общая емкость Сд,пФ | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-23-3 |
BAS16LT1G - это 3-контактный переключающий диод слабого сигнала 75 В, предназначенный для высокоскоростных коммутационных устройств. Подходит дл…
1N914BWS, Диод 150 мА 75В 5нс [SOD-323F]
![1N914BWS, Диод 150 мА 75В 5нс [SOD-323F]](/file/p_img/1748227.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 1N914BWS
• Устройство быстрого переключения (TRR, lt; 4,0 нс) • Очень маленький и тонкий корпус SMD • Уровень чувствительности к влаге 1 •…