Mitsubishi, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация


RD06HHF1-501
RD06HHF1-501
Производитель: Mitsubishi

IGBT модуль CM1200HG-66H MIT
Производитель: Mitsubishi, CM1200HG-66H

CM75RX-34SA
Производитель: Mitsubishi

IGBT модуль CM900DUC-24S MIT
Производитель: Mitsubishi, CM900DUC-24S

SLIMDIP-S#555
Производитель: Mitsubishi

MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50
MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50
Производитель: Mitsubishi, MGF0920A-03

RD20HMF1-101, Si 900MHz 20W 12.5V ceramic
RD20HMF1-101, Si 900MHz 20W 12.5V ceramic
Производитель: Mitsubishi, RD20HMF1-101

MGF0918A-03, GaAs FET 1.9GHz 3W 27dBm GF-50
MGF0918A-03, GaAs FET 1.9GHz 3W 27dBm GF-50
Производитель: Mitsubishi, MGF0918A-03

MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17
MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17
Производитель: Mitsubishi

RD70HHF1, Si 30МГц 70Вт 12.5В, транзистор
RD70HHF1, Si 30МГц 70Вт 12.5В, транзистор
Производитель: Mitsubishi, RD70HHF1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Корпус ceramic