MC33153DG, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [SOIC-8]
![MC33153DG, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [SOIC-8]](/file/p_img/1781743.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MC33153DG
| Кол-во каналов | 1 |
| Напряжение питания, В | 11…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.2 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 3.2 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 2 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 17 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 17 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
MOSFET, amp; Драйверы IGBT, ON Semiconductor Драйверы питания для MOSFET и IGBT в схемах низкого, высокого и полумостового у…
MC33152PG, PDIP8
Производитель: ON Semiconductor, MC33152PG
MOSFET, amp; Драйверы IGBT, ON Semiconductor Драйверы питания для MOSFET и IGBT в схемах низкого, высокого и полумостового у…
MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8]
![MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8]](/file/p_img/1781741.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MC33152DR2G
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 6.1…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.6 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1.5 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 36 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 32 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 2, Максимальный выходной ток нарастания 1.5 А, Максимальный выходной ток спада 1.5 А
MC33152DG, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8]
![MC33152DG, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8]](/file/p_img/1781740.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MC33152DG
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 6.1…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.6 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1.5 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 36 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 32 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
MC33152DG - это двойной неинвертирующий высокоскоростной драйвер MOSFET, специально разработанный для приложений, в которых требуются слаботочны…
MC33151PG, Драйвер MOSFET, Low-Side [DIP-8]
![MC33151PG, Драйвер MOSFET, Low-Side [DIP-8]](/file/p_img/1781739.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MC33151PG
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 6.5…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.6 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1.5 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 31 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 32 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | DIP-8 (0.300 inch) |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
MOSFET, amp; Драйверы IGBT, ON Semiconductor Драйверы питания для MOSFET и IGBT в схемах низкого, высокого и полумостового у…
MC33151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8]
![MC33151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8]](/file/p_img/1781738.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MC33151DG
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 6.5…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.6 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1.5 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 31 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 32 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
MC33151DG - это высокоскоростной драйвер MOSFET с двойным инвертированием, специально разработанный для приложений, в которых требуются слаботоч…
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
![FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8]](/file/p_img/1765834.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FAN7842MX
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.9 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.35 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 60 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 30 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 200 |
FAN7388MX, Драйвер MOSFET, полумостовой, питание 10В-20В, 650мА, задержка 150нс [SOIC-20]
Производитель: ON Semiconductor, FAN7388MX
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14]
![FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14]](/file/p_img/1765822.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FAN7383MX
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 15…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.2 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.9 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.35 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 50 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 30 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | SOP-14 (0.209 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Драйверы для управления затвором Half Bridge Gate Driver
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8]
![FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8]](/file/p_img/1765821.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FAN73832MX
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 15…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.2 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.9 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.35 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 50 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 30 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Полумостовые драйверы MOSFET, Fairchild Semiconductor