Ixys Corporation, Электронные компоненты/Микросхемы/Драйверы MOSFET и IGBT - цена, информация


IXDI630CI, Микросхема
Производитель: Ixys Corporation, IXDI630CI

Low-Side Gate Driver IC Inverting TO-220-5

IXDN630YI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-263-5]
IXDN630YI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-263-5]
Производитель: Ixys Corporation, IXDN630YI

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263-5

IXDN609CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 9А [TO-220-5]
IXDN609CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 9А [TO-220-5]
Производитель: Ixys Corporation, IXDN609CI

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5

IXDN604PI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Dua Low-Side, выходной ток 4А [DIP-8]
IXDN604PI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Dua Low-Side, выходной ток 4А [DIP-8]
Производитель: Ixys Corporation, IXDN604PI
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 4.5…35
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 4
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 8
Рабочая температура, °C -40…+125 (TA)
Корпус DIP-8 (0.300 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N/P-CH MOSFET

IXDD630YI, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [TO-263-5]
IXDD630YI, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [TO-263-5]
Производитель: Ixys Corporation, IXDD630YI

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263-5

IXDD630CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-220-5]
IXDD630CI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Low-Side, пиковый выходной ток 30А [TO-220-5]
Производитель: Ixys Corporation, IXDD630CI
Кол-во каналов 1
Напряжение питания, В 12.5…35
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 30
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 30
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 11
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 11
Рабочая температура, °C -55…+150 (TJ)
Корпус to-220-5
Тип управляемого затвора IGBT, N/P-CH MOSFET