VND830SP-E, Двухканальный драйвер ключа верхнего уровня [PowerSO-10]
![VND830SP-E, Двухканальный драйвер ключа верхнего уровня [PowerSO-10]](/file/p_img/1798606.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, VND830SP-E
Тип входа | неинвертирующий |
Корпус | powerso10 |
Максимальное напряжение смещения, В | 36 |
VND830SP-E - это монолитный 2-канальный драйвер High Side, предназначенный для управления нагрузкой любого типа, одна сторона которого заземлена…
TD310ID, IGBT/MOSFET драйвер [SOIC-16_150mil]
![TD310ID, IGBT/MOSFET драйвер [SOIC-16_150mil]](/file/p_img/1794516.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, TD310ID
Драйверы FET-IGBT - [DIP-16]; Nнижн: 0; Nверхн: 1; Iout+: 600 мА; Iout-: 600 мА; Uизол: 2 кВ; Примечание: Designed to drive one, two or three Power…
L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16]
![L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16]](/file/p_img/1777042.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6390D
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 12.5…20 |
Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
Логическое напряжение (VIH), В | 1.9 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.29 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.43 |
Тип входа | неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 75 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 35 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | SOIC-16 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 290 мА; Iout-: 430 мА; Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защит…
L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
![L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]](/file/p_img/1777041.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6388ED013TR
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 17 (Max) |
Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
Логическое напряжение (VIH), В | 1.8 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
Тип входа | инвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 70 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 |
Рабочая температура, °C | -40…+125 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
L6388ED, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
![L6388ED, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]](/file/p_img/1777040.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6388ED
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 17 (Max) |
Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
Логическое напряжение (VIH), В | 1.8 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
Тип входа | инвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 70 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
L6385E, Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней
Производитель: ST Microelectronics, L6385E
L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]
![L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]](/file/p_img/1777038.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6384ED
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 14.6…16.6 |
Логическое напряжение (VIL), В | 1.5 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3.6 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
Тип входа | инвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 50 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 30 |
Рабочая температура, °C | -45…+125 (TJ) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса Корпус SO-8, Кол-во ниж…
L6386ED, Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-14]
![L6386ED, Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-14]](/file/p_img/1742087.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, L6386ED
Кол-во каналов | 2 |
Напряжение питания, В | 17 (Max) |
Логическое напряжение (VIL), В | 1.5 |
Логическое напряжение (VIH), В | 3.6 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
Тип входа | инвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 50 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 30 |
Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
Корпус | soic-14 (0.154 inch) |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровнейХарактеристики: Корпус: SO-14; Кол-во нижних каналов: 1; Кол…