ST Microelectronics, Электронные компоненты/Микросхемы/Драйверы MOSFET и IGBT - цена, информация


VND830SP-E, Двухканальный драйвер ключа верхнего уровня [PowerSO-10]
VND830SP-E, Двухканальный драйвер ключа верхнего уровня [PowerSO-10]
Производитель: ST Microelectronics, VND830SP-E
Тип входа неинвертирующий
Корпус powerso10
Максимальное напряжение смещения, В 36

VND830SP-E - это монолитный 2-канальный драйвер High Side, предназначенный для управления нагрузкой любого типа, одна сторона которого заземлена…

TD310ID, IGBT/MOSFET драйвер [SOIC-16_150mil]
TD310ID, IGBT/MOSFET драйвер [SOIC-16_150mil]
Производитель: ST Microelectronics, TD310ID

Драйверы FET-IGBT - [DIP-16]; Nнижн: 0; Nверхн: 1; Iout+: 600 мА; Iout-: 600 мА; Uизол: 2 кВ; Примечание: Designed to drive one, two or three Power…

L6743DTR, Драйвер MOSFET [SOIC-8]
L6743DTR, Драйвер MOSFET [SOIC-8]
Производитель: ST Microelectronics, L6743DTR

L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16]
L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16]
Производитель: ST Microelectronics, L6390D
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 12.5…20
Логическое напряжение (VIL), В 1.1
Логическое напряжение (VIH), В 1.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.43
Тип входа неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 75
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 35
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус SOIC-16 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

Драйверы FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 290 мА; Iout-: 430 мА; Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защит…

L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
Производитель: ST Microelectronics, L6388ED013TR
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 17 (Max)
Логическое напряжение (VIL), В 1.1
Логическое напряжение (VIH), В 1.8
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.65
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 70
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+125 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

L6388ED, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
L6388ED, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
Производитель: ST Microelectronics, L6388ED
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 17 (Max)
Логическое напряжение (VIL), В 1.1
Логическое напряжение (VIH), В 1.8
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.65
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 70
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]
L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]
Производитель: ST Microelectronics, L6384ED
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 14.6…16.6
Логическое напряжение (VIL), В 1.5
Логическое напряжение (VIH), В 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.65
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 30
Рабочая температура, °C -45…+125 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса Корпус SO-8, Кол-во ниж…

L6386ED, Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-14]
L6386ED, Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-14]
Производитель: ST Microelectronics, L6386ED
Кол-во каналов 2
Напряжение питания, В 17 (Max)
Логическое напряжение (VIL), В 1.5
Логическое напряжение (VIH), В 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.65
Тип входа инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 30
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус soic-14 (0.154 inch)
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Максимальное напряжение смещения, В 600

Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровнейХарактеристики: Корпус: SO-14; Кол-во нижних каналов: 1; Кол…

L6569, Микросхема
L6569, Микросхема
Производитель: ST Microelectronics, L6569