Россия, Электронные компоненты/Транзисторы/Биполярные (BJTs) - цена, информация


КТ850А, Транзистор NPN, средней мощности, усилительный
КТ850А, Транзистор NPN, средней мощности, усилительный
Производитель: Россия, КТ850А
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 25
Корпус кт-28-2(то-220)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 20

КТ848А, Транзистор NPN, мощный, усилительный
КТ848А, Транзистор NPN, мощный, усилительный
Производитель: Россия, КТ848А
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 35
Корпус кт-9(то-3)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3

КТ842А
КТ842А
Производитель: Россия
Структура pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 3
Корпус кт-9(то-3)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 20

КТ837Т, PNP биполярный транзистор
КТ837Т, PNP биполярный транзистор
Производитель: Россия, КТ837Т
Структура pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 30
Корпус кт-28-2(то-220)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.9

КТ837Г, Транзистор PNP, усилительный
КТ837Г, Транзистор PNP, усилительный
Производитель: Россия, КТ837Г
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10…40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 30
Корпус кт-28-2(то-220)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1

КТ837Ф, Транзистор PNP, усилительный
КТ837Ф, Транзистор PNP, усилительный
Производитель: Россия, КТ837Ф
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 30
Корпус кт-28-2(то-220)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1

КТ836А, никель
КТ836А, никель
Производитель: Россия
Структура pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус кт-37
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

КТ835А, Транзистор PNP, усилители, преобразователи
КТ835А, Транзистор PNP, усилители, преобразователи
Производитель: Россия, КТ835А
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 25
Корпус кт-28-2(то-220)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1

КТ834В
КТ834В
Производитель: Россия

КТ830Г
КТ830Г
Производитель: Россия
Структура pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус кт-2-7(to-39)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4