EL

Китай, Электронные компоненты/Транзисторы/Биполярные (BJTs) - цена, информация

2N5551YTA, транзистор биполярный TO92
2N5551YTA, транзистор биполярный TO92
Производитель: Китай, 2N5551YTA

Транзистор BC556B
Транзистор BC556B
Производитель: Китай, BC556B

Транзистор TSL548 TO-92
Транзистор TSL548 TO-92
Производитель: Китай, TSL548 TO-92

SBC328, PNP Si Транзистор, -30В, -800мА, 625мВт, TO92
SBC328, PNP Si Транзистор, -30В, -800мА, 625мВт, TO92
Производитель: Китай, SBC328
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…630
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220]
MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220]
Производитель: Китай, MJE15033G

MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220]
MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220]
Производитель: Китай, MJE15032G

MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
Производитель: Китай, MJ21194G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

DTC114TS, Транзистор биполярный малой мощности, цифровой, переключающийся, NPN, [TO-92]
DTC114TS, Транзистор биполярный малой мощности, цифровой, переключающийся, NPN, [TO-92]
Производитель: Китай, DTC114TS
Структура npn с резистором
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус spt(sc-72 formed leads)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250

BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом [ISOWATT-218]
BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом [ISOWATT-218]
Производитель: Китай, BU808DFI
Структура npn darlington с 2 резисторами и 2 диодами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 52
Корпус isowatt-218

BU2508DF, Мощный высоковольтный NPN транзистор с демпферным диодом, горизонтальная (строчная) развертка
BU2508DF, Мощный высоковольтный NPN транзистор с демпферным диодом, горизонтальная (строчная) развертка
Производитель: Китай, BU2508DF
Структура npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 4…7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 45
Корпус sot-399