MCR708AT4G, Тиристор

Производитель: ON Semiconductor, MCR708AT4G
• Тиристор с обратной блокировкой • Пассивированная матрица для надежности и однородности • Низкие характеристики срабатывания и удерж…
MCR12N тиристор 800В 12А TO220
Производитель: ON Semiconductor
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 800 |
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 12 |
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.02 |
C106D
Производитель: ON Semiconductor
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 400 |
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 2.55 |
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.5 |
MCR8NG, Тиристор 800В 8А [TO-220AB]
![MCR8NG, Тиристор 800В 8А [TO-220AB]](/file/p_img/1782052.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MCR8NG
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 800 |
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 25 |
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.03 |
MCR106-8G, Тиристор 4А, 600В, [TO-225AA]
![MCR106-8G, Тиристор 4А, 600В, [TO-225AA]](/file/p_img/1782048.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MCR106-8G
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 600 |
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 4 |
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.5 |
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR Корпус TO225
MCR100-8G, Тиристор 0.8А 600В, [TO-92]
![MCR100-8G, Тиристор 0.8А 600В, [TO-92]](/file/p_img/1782047.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MCR100-8G
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 600 |
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 0.8 |
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.0002 |
MCR100-6G, Тиристор 0.8А 400В [TO-92]
![MCR100-6G, Тиристор 0.8А 400В [TO-92]](/file/p_img/1782045.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MCR100-6G
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 400 |
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 0.8 |
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.2 |
SCR 400V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
2N6507G, Тиристор, 400 В, 40 мА, 25 А, [TO-220AB]
![2N6507G, Тиристор, 400 В, 40 мА, 25 А, [TO-220AB]](/file/p_img/1749064.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2N6507G
Тиристоры с фазовым регулированием, ON Semiconductor