CNY17-3SM

Производитель: Fairchild Semiconductor
Напряжение изоляции (RMS), В | 4170 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 100 |
Время включения (Typ), мкс | 2 |
Время выключения (Typ), мкс | 3 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 70 |
Выходной ток на канал, мА | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | SMD-6 |
Коэффициент передачи по току (Max), % | 200 |
• Тесно подобранный коэффициент передачи тока (CTR) • Минимально высокий BVCEO 70 В • Максимальное рабочее напряжение изоляции 850 В
CNY173M, Оптопара с высоким выходным напряжением пробоя, с транзисторным выходом [DIP-6]
![CNY173M, Оптопара с высоким выходным напряжением пробоя, с транзисторным выходом [DIP-6]](/file/p_img/1761340.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, CNY173M
Напряжение изоляции (RMS), В | 4170 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 100 |
Время включения (Typ), мкс | 2 |
Время выключения (Typ), мкс | 3 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 70 |
Выходной ток на канал, мА | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | dip-6 |
Коэффициент передачи по току (Max), % | 200 |
CNY17-3-M - это 6-контактный фототранзисторный оптрон, состоящий из арсенида галлия, излучающего инфракрасный диод. Он подходит для цифровых лог…
CNY172M, Оптопара с высоким выходным напряжением пробоя, с транзисторным выходом [DIP-6]
![CNY172M, Оптопара с высоким выходным напряжением пробоя, с транзисторным выходом [DIP-6]](/file/p_img/1761338.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, CNY172M
Напряжение изоляции (RMS), В | 4170 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 63 |
Время включения (Typ), мкс | 2 |
Время выключения (Typ), мкс | 3 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 70 |
Выходной ток на канал, мА | 50 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | dip-6 |
Коэффициент передачи по току (Max), % | 125 |
CNY172M - это 6-контактный фототранзисторный оптрон, состоящий из излучающего инфракрасного излучения диода на основе арсенида галлия. Он подход…
6N138M, Оптопара с низким входным током, высоким усилением, с транзисторным выходом [DIP-8]
![6N138M, Оптопара с низким входным током, высоким усилением, с транзисторным выходом [DIP-8]](/file/p_img/1751280.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, 6N138M
Напряжение изоляции (RMS), В | 5000 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 300 |
Время включения (Typ), мкс | 1 |
Время выключения (Typ), мкс | 7.3 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 7 |
Выходной ток на канал, мА | 60 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | dip-8 |
Оптопара, выход транзистора Дарлингтона, Fairchild Semiconductor
6N136SD, (SMD) SMD8

Производитель: Fairchild Semiconductor, 6N136SD
Напряжение изоляции (RMS), В | 5000 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 19 |
Время включения (Typ), мкс | 0.25 |
Время выключения (Typ), мкс | 0.26 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 20 |
Выходной ток на канал, мА | 8 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | smd-8 |
Коэффициент передачи по току (Max), % | 50 |
4N35SM, Оптопара транзисторная [SMD-6]
![4N35SM, Оптопара транзисторная [SMD-6]](/file/p_img/1750731.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, 4N35SM
Напряжение изоляции (RMS), В | 4170 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 100 |
Время включения (Typ), мкс | 2 |
Время выключения (Typ), мкс | 2 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 30 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | SMD-6 |
4N35S-M - это 6-контактный фототранзисторный оптрон общего назначения, состоящий из излучающего инфракрасного излучения диода из арсенида галлия…
4N33SR2M, SO6, оптопара

Производитель: Fairchild Semiconductor, 4N33SR2M
Напряжение изоляции (RMS), В | 4170 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 500 |
Время включения (Typ), мкс | 5 |
Время выключения (Typ), мкс | 100 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 30 |
Выходной ток на канал, мА | 150 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | SMD-6 |
Оптопара, выход транзистора Дарлингтона, Fairchild Semiconductor
4N26M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]
![4N26M, Оптопара с транзисторным выходом [DIP-6]](/file/p_img/1729546.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, 4N26M
Напряжение изоляции (RMS), В | 4170 |
Коэффициент передачи по току (Min), % | 20 |
Время включения (Typ), мкс | 2 |
Время выключения (Typ), мкс | 2 |
Тип входа | DC |
Напряжение выхода, В | 30 |
Рабочая температура, °C | -40…+100 |
Корпус | dip-6 |
10 мА, VCE = 10 В