BAS316,115, Диод High-speed 100В 250мА [SOD-323]
![BAS316,115, Диод High-speed 100В 250мА [SOD-323]](/file/p_img/1758275.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS316,115
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.25 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 0.5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-323 |
Корпус SOD323, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 100 В, Прямой ток диода (средний) 250 мА, Прямое падение нап…
BAS28,215, Диодная сборка, 2 диода, независимые, 75В, 215мА [SOT-143]
![BAS28,215, Диодная сборка, 2 диода, независимые, 75В, 215мА [SOT-143]](/file/p_img/1758272.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS28,215
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 85 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.215 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-143B |
Малосигнальные переключающие диоды, Nexperia
BAS216WT, Диод импульсный 85В 250мА [SOD-523]
![BAS216WT, Диод импульсный 85В 250мА [SOD-523]](/file/p_img/1758271.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, BAS216WT
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 85 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.25 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -50…+175 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-523 |
Корпус SOD-523
BAS216,115, Диод High-speed 75В 250мА [SOD-110]
![BAS216,115, Диод High-speed 75В 250мА [SOD-110]](/file/p_img/1758270.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BAS216,115
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 85 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.25 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-110 |
BAS16W-TP, Диод, 75В, 0.1А [SOD-123]
![BAS16W-TP, Диод, 75В, 0.1А [SOD-123]](/file/p_img/1758265.jpg)
Производитель: Micro Commercial Components, BAS16W-TP
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.1 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 6 |
| Общая емкость Сд,пФ | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-123 |
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация 200mA 75V
BAS16J,115, Диод 100В 0.25А AEC-Q101 [SOD-323F]
![BAS16J,115, Диод 100В 0.25А AEC-Q101 [SOD-323F]](/file/p_img/1758264.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS16J,115
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.25 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 0.5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-323F |
Корпус SOD-323, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 100 В, Прямой ток диода (средний) 250 мА, Прямое падение на…
BAS16HT1G, Диод импульсный 6нс 100В 200мА, [SOD-323]
![BAS16HT1G, Диод импульсный 6нс 100В 200мА, [SOD-323]](/file/p_img/1758263.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAS16HT1G
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 30 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 6 |
| Общая емкость Сд,пФ | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOD-323 |
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
BAS16-TP, Диод Шоттки, 100В, 0.3А [SOT-23]
![BAS16-TP, Диод Шоттки, 100В, 0.3А [SOT-23]](/file/p_img/1758261.jpg)
Производитель: Micro Commercial Components, BAS16-TP
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 75 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.35 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 1 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-23-3 |
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация 300mA 100V
BAS16LT1G, Диод импульсный 6нс 75В 250мА [SOT-23]
![BAS16LT1G, Диод импульсный 6нс 75В 250мА [SOT-23]](/file/p_img/1758260.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BAS16LT1G
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 30 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 6 |
| Общая емкость Сд,пФ | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-23-3 |
BAS16LT1G - это 3-контактный переключающий диод слабого сигнала 75 В, предназначенный для высокоскоростных коммутационных устройств. Подходит дл…
BAS16,215, Диод High-speed 75В 250мА [SOT-23-3]
![BAS16,215, Диод High-speed 75В 250мА [SOT-23-3]](/file/p_img/1758259.jpg)
Производитель: Nexperia, BAS16,215
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.215 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.5 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 0.5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.25 |
| при Iпр.,А | 0.15 |
| Максимальное время обратного восстановления, нс | 4 |
| Общая емкость Сд,пФ | 1.5 |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | SOT-23-3 |
BAS16 от компании NXP является высокоскоростным, коммутационным диодом поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Они сконфигурированы, как один ди…