MMBD1405, Диод 0.2А 175В [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBD1405
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 200 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 200 мА |
Время обратного восстановления, Trr | 50 нс |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 100 нА при 175 В |
Рабочая температура PN-прехода | +150 C (Max) |
Корпус | SOT-23-3 |
Диодная решетка 1 пара с общим анодом Стандарт 200 В 200 мА для поверхностного монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LQA08TC600, Диод 600В 8А [TO-220AC]
Производитель: Power Integrations, LQA08TC600
Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC
КД213А, Диффузионный кремниевый диод, 100кГц
Производитель: Россия, КД213А
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 200 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 10 А |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 10 А |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 0.2 мА при 200 В |
Рабочая температура PN-прехода | -60...+85 C |
Корпус | КД-23 |
Емкость при Vr, F | 550 пФ при 100 В |
КД212А, Диффузионный кремниевый диод, 100кГц
Производитель: Россия, КД212А
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 200 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 1 А |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 50 мкА при 200 В |
Рабочая температура PN-прехода | -60...+85 C |
Корпус | КД-16 |
Емкость при Vr, F | 45 пФ при 100 В |
ISL9R1560G2_F085, Диод, Stealth, 15А, 600В [TO-247-2L]
Производитель: ON Semiconductor, ISL9R1560G2_F085
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 600 В |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 15 А |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 2.2 В при 15 А |
Время обратного восстановления, Trr | 40 нс |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 100 мкА при 600 В |
Рабочая температура PN-прехода | -55…+175 C |
Корпус | TO-247-2L |
Выпрямители 15A, 600V Stealth Diode
ISL9K3060G3, Диодная сборка, Stealth, 2 диода, общий катод, 600В, 30А [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, ISL9K3060G3
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 600 В |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 30 А |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 2.4 В при 30 А |
Время обратного восстановления, Trr | 45 нс |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 100 мкА при 600 В |
Рабочая температура PN-прехода | -55…+175 C |
Корпус | TO-247-3 |
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация 30A 600V
IDW100E60FKSA1 (D100E60), Диод Fast 600В 150А [PG-TO247]
Производитель: Infineon Technologies, IDW100E60FKSA1 (D100E60)
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 600 В |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 150 А (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 2 В при 100 А |
Время обратного восстановления, Trr | 120 нс |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 40 мкА при 600 В |
Рабочая температура PN-прехода | -55…+175 C |
Корпус | pg-to247-3 |
Быстросменные диоды с эмиттерным управлением, Infineon Переключаемые диоды с эмиттерным управлением Infineon - это семейства…
IDP30E120, Диод 30А 1200В
Производитель: Infineon Technologies, IDP30E120
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
HS1M, Диод 1000В 1А [DO214AC / SMA]
Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd., HS1M
Корпус DO214AA