![USL1J, Диод, Ultrafast Recovery, 1А, 600В [SOD-123FL]](/file/p_img/1797944.jpg)
US1M-E3/61T, Диод ультрабыстрый 1А 1000В [SMA / DO-214AC]
![US1M-E3/61T, Диод ультрабыстрый 1А 1000В [SMA / DO-214AC]](/file/p_img/1797817.jpg)
Производитель: Vishay, US1M-E3/61T
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 1000 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 1 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 75 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 1000 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+150 C |
| Корпус | DO-214AC / SMA |
| Емкость при Vr, F | 10 пФ при 4 В, 1 МГц |
Корпус DO214AC, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 1 кВ, Прямой ток диода (средний) 1 А, Прямое падение напряж…
US1M, Диод ультрабыстрый 1А 1000В [SMA / DO-214AC]
![US1M, Диод ультрабыстрый 1А 1000В [SMA / DO-214AC]](/file/p_img/1797816.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, US1M
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 1000 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 1 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 75 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 5 мкА при 1000 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+150 C |
| Корпус | DO-214AC / SMA |
| Емкость при Vr, F | 10 пФ при 4 В, 1 МГц |
US1M, Ультрабыстрый диод 1А 1000В [SMA / DO-214AC]
![US1M, Ультрабыстрый диод 1А 1000В [SMA / DO-214AC]](/file/p_img/1797815.jpg)
Производитель: Китай, US1M
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 1000 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 1 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 75 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 5 мкА при 1000 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+150 C |
| Корпус | DO-214AC / SMA |
| Емкость при Vr, F | 10 пФ при 4 В, 1 МГц |
US1J-E3/61T, Ультрабыстрый диод 1А 600В [SMA / DO-214AC]
![US1J-E3/61T, Ультрабыстрый диод 1А 600В [SMA / DO-214AC]](/file/p_img/1797814.jpg)
Производитель: Vishay, US1J-E3/61T
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 600 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 1 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 75 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 600 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+150 C |
| Корпус | DO-214AC / SMA |
| Емкость при Vr, F | 10 пФ при 4 В, 1 МГц |
US1J-E3 / 5AT - сверхбыстрый выпрямитель для поверхностного монтажа с паяемыми матовыми лужеными контактами. Он подходит для использования в выс…
US1G-E3/61T, Ультрабыстрый диод 1А 400В [SMA / DO-214AC]
![US1G-E3/61T, Ультрабыстрый диод 1А 400В [SMA / DO-214AC]](/file/p_img/1797813.jpg)
Производитель: Vishay, US1G-E3/61T
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 400 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 1 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 50 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 400 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+150 C |
| Корпус | DO-214AC / SMA |
| Емкость при Vr, F | 15 пФ при 4 В, 1 МГц |
• Высокая устойчивость к скачкам в прямом направлении • Максимальное среднеквадратичное напряжение 280 В • Максимальное напряжение бло…
US1D, Ультрабыстрый диод 1А 200В [SMA / DO-214AC]
![US1D, Ультрабыстрый диод 1А 200В [SMA / DO-214AC]](/file/p_img/1797812.jpg)
Производитель: Китай, US1D
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 200 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1 В при 1 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 50 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 5 мкА при 200 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+150 C |
| Корпус | DO-214AC / SMA |
| Емкость при Vr, F | 15 пФ при 4 В, 1 МГц |
UF600M, Диод импульсный 6А 1000В [P600] (=FR607)
![UF600M, Диод импульсный 6А 1000В [P600] (=FR607)](/file/p_img/1797663.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, UF600M
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 1000 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 6 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 5 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 100 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 1000 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -50…+175 C |
| Корпус | R-6 / P600 |
| Емкость при Vr, F | 70 пФ при 4 В, 1 МГц |
UF600K, Диод импульсный 6А 800В [P600] (=FR606)
![UF600K, Диод импульсный 6А 800В [P600] (=FR606)](/file/p_img/1797662.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, UF600K
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 800 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 6 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 5 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 100 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 800 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -50…+175 C |
| Корпус | R-6 / P600 |
| Емкость при Vr, F | 70 пФ при 4 В, 1 МГц |
UF600J, Диод импульсный 6А 600В [P600] (=FR605)
![UF600J, Диод импульсный 6А 600В [P600] (=FR605)](/file/p_img/1797661.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, UF600J
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 600 В |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 6 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 1.7 В при 5 А |
| Время обратного восстановления, Trr | 100 нс |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 10 мкА при 600 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -50…+175 C |
| Корпус | R-6 / P600 |
| Емкость при Vr, F | 70 пФ при 4 В, 1 МГц |