BUX87, Транзистор NPN, биполярный, 1кВ, 500мА, 20Вт, TO126, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

BUX87

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2200604

Технические параметры

Вес, г

0.65

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

BUX87

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Производитель

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

2.7мм

Длина

7.8мм

Вид монтажа

Through Hole

Dimensions

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Base Product Number

BUX87 ->

Высота

10.8мм

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Pd - рассеивание мощности

40 W

Упаковка / блок

SOT-32-3

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package / Case

TO-225AA, TO-126-3

Supplier Device Package

SOT-32-3

Width

2.7мм

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1 В

Максимальное напряжение коллектор-база

1000 V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Тип корпуса

SOT-32

Максимальное рассеяние мощности

40 W

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Тип транзистора

NPN

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

450 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

20 MHz

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

12 @ 40mA, 5V

Frequency - Transition

20MHz

Power - Max

40W

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 20mA, 200mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

450V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Maximum DC Collector Current

500mA

Pd - Power Dissipation

40W

Непрерывный коллекторный ток

0.5 A

Height

10.8мм

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 201 КБ
Datasheet BUX87 , pdf , 188 КБ

BUX87, Транзистор NPN, биполярный, 1кВ, 500мА, 20Вт, TO126 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация