BTS282ZE3180A, IC: power switch; low-side; 36А; Каналы: 1; N-Channel; SMD; TEMPFET®, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Аналоговые и смешанные микросхемы\Выключатели - микросхемы

Полевой МОП-транзистор Infineon TEMPFET ™ с тепловым переключателем
Infineon TEMPFET ™ - это силовой МОП-транзистор с N-каналом логического уровня со встроенным термодатчиком, который срабатывает, когда температура кристалла превышает 160 ° C. Анод и катод термочувствительного тиристора доступны и изолированы от силового полевого МОП-транзистора.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BTS282ZE3180AATMA2

Категория

Прочие микросхемы импортные

Номенклатурный номер

2165096

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Длина

10 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Ширина

9.25 mm

Высота

4.4мм

Number of Elements per Chip

Brand

Infineon

Package Type

D2PAK (TO-263)

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

9.25mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Другие названия товара №

BTS282Z E3180A SP000910848

Категория продукта

МОП-транзистор

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-263-7

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10мм

Pin Count

7 + Tab

Серия

TEMPFET

Pd - рассеивание мощности

300 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

49 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.6 V

Конфигурация

Single

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Количество каналов

1 Channel

Время нарастания

37 ns

Время спада

36 ns

Channel Type

Maximum Power Dissipation

300 Вт

Квалификация

AEC-Q101

Transistor Configuration

Одинарный

Тип транзистора

1 N-Channel

Maximum Continuous Drain Current

80 А

Transistor Material

Кремний

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Drain Source Resistance

9.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

49 V

Typical Gate Charge @ Vgs

155 nC @ 10 V

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

1.4V

Id - непрерывный ток утечки

36 A

Qg - заряд затвора

155 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.5 mOhms

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

30 S

Типичное время задержки выключения

70 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 388 КБ
Datasheet BTS282ZE3180AATMA2 , pdf , 373 КБ

BTS282ZE3180A, IC: power switch; low-side; 36А; Каналы: 1; N-Channel; SMD; TEMPFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 850 руб.

Техническая документация