BSS138WH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 280мА, 500мВт, SOT323, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 40 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS138WH6327XTSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1973374

Технические параметры

Вес, г

0.02

Другие названия товара №

BSS138W H6327 SP000924068

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIPMOS

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Brand

Infineon

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

SIPMOSВ® ->

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Ширина

1.25 mm

Длина

2 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Length

2мм

Base Product Number

BSS138 ->

Высота

0.8мм

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

SC-70, SOT-323

Supplier Device Package

PG-SOT323-3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Width

1.25мм

Pin Count

Конфигурация

Single

Transistor Configuration

Одинарный

Тип транзистора

1 N-Channel

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

280 мА

Maximum Power Dissipation

500 mW

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Id - непрерывный ток утечки

280 mA

Qg - заряд затвора

1 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.1 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Время нарастания

3 ns

Время спада

8.2 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.12 S

Типичное время задержки выключения

6.7 ns

Типичное время задержки при включении

2.2 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

280mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 26ВµA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 139 КБ
Datasheet BSS138WH6327XTSA1 , pdf , 352 КБ
Datasheet BSS138WH6327XTSA1 , pdf , 353 КБ

BSS138WH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 280мА, 500мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 40 руб.

Техническая документация