BSP315PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -1,17А, 1,8Вт, PG-SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 88 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS®
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, непрерывный ток стока, -80А плюс широкий диапазон рабочих температур. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP315PH6327XTSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2181728

Технические параметры

Вес, г

0.16

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

SIPMOS

Производитель

Infineon

Brand

Infineon

Другие названия товара №:

BSP315P H6327 SP001058830

Категория продукта:

МОП-транзистор

Подкатегория:

MOSFETs

Производитель:

Infineon

Размер фабричной упаковки:

1000

Серия:

BSP315

Тип продукта:

MOSFET

Торговая марка:

Infineon Technologies

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

SIPMOSВ® ->

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Длина

6.5мм

Base Product Number

BSP315 ->

Высота

1.6мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Вид монтажа:

SMD/SMT

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Число контактов

3+Tab

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Типичное время задержки выключения

32 нс

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.17A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 1.17A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 160ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

1.17 A

Материал транзистора

Типичное время задержки включения

24 ns

Максимальное сопротивление сток-исток

800 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

5.2 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

130 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное пороговое напряжение включения

Pd - рассеивание мощности:

1.8 W

Упаковка / блок:

SOT-223-4

Высота:

1.6 mm

Ширина:

3.5 mm

Длина:

6.5 mm

Минимальное пороговое напряжение включения

Конфигурация:

Single

Технология:

Id - непрерывный ток утечки:

1.17 A

Qg - заряд затвора:

5.2 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

800 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

1.5 V

Время нарастания:

9 ns

Время спада:

19 ns

Канальный режим:

Enhancement

Количество каналов:

1 Channel

Полярность транзистора:

P-Channel

Тип транзистора:

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения:

32 ns

Типичное время задержки при включении:

24 ns

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

700 mS

Техническая документация

Datasheet , pdf , 106 КБ
Datasheet BSP315PH6327XTSA1 , pdf , 481 КБ
Datasheet BSP315PH6327XTSA1 , pdf , 539 КБ

BSP315PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -1,17А, 1,8Вт, PG-SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 88 руб.

Техническая документация