BSP297H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 660мА, 1,8Вт, SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 84 руб.

Сравнить

Описание

PG-SOT223-4SMALL SIGNAL N-CH
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 660 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP297H6327XTSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2189072

Технические параметры

Вес, г

0.16

Другие названия товара №

BSP297 H6327 SP001058622

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Производитель

Infineon

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

SIPMOSВ® ->

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Длина

6.5мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

BSP297 ->

Высота

1.6мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

PG-SOT-223-4

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

3+Tab

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.8V

Id - непрерывный ток утечки

660 mA

Qg - заряд затвора

12.9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.4 V

Время нарастания

3.8 ns

Время спада

19 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

470 mS

Типичное время задержки выключения

49 нс

Типичное время задержки при включении

5.2 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

660mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.1nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

357pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 660mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 400ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

660 мА

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

5,2 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

1.8 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

12,9 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

286 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 106 КБ
Datasheet BSP297H6327XTSA1 , pdf , 575 КБ
Datasheet BSP297H6327XTSA1 , pdf , 576 КБ

BSP297H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 660мА, 1,8Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 84 руб.

Техническая документация