BSP149H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 660мА, 1,8Вт, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP149H6327XTSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1832263

Технические параметры

Вес, г

1.1

Другие названия товара №

BSP149 H6327 SP001058818

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Производитель

Infineon

Brand

Infineon

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.5мм

Длина

6.5мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.6мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-223-4

Width

3.5мм

Pin Count

3 + Tab

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

3+Tab

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

660 мА

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Drain Source Resistance

1,8 Ω

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Опускание

Id - непрерывный ток утечки

660 mA

Qg - заряд затвора

11 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.8 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Время нарастания

3.4 ns

Время спада

21 ns

Канальный режим

Depletion

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.4 S

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

5.1 ns

Height

1.6мм

Максимальный непрерывный ток стока

660 мА

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

5,1 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

1.8 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 5 В

Номер канала

Опускание

Типичная входная емкость при Vds

326 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Рассеиваемая мощность

1.8Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

660мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

1Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.4В

Transistor Mounting

Surface Mount

Техническая документация

BSP149_Rev2.1 , pdf , 397 КБ
Datasheet , pdf , 403 КБ

BSP149H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 660мА, 1,8Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация