ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP129H6327XTSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 240В, 50мА, 1,8Вт, PG-SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSP129H6327XTSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 240В, 50мА, 1,8Вт, PG-SOT…
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
BSP129H6327XTSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 240В, 50мА, 1,8Вт, PG-SOT223
Последняя цена
97 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSP129H6327XTSA1
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2150649
Технические параметры
Вес, г
2
Другие названия товара №
BSP129 H6327 SP001058580
Категория продукта
МОП-транзистор
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
SIPMOS
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon Technologies
Производитель
Infineon
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
SIPMOSВ® ->
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Длина
6.5мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Base Product Number
BSP129 ->
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Pd - рассеивание мощности
1.8 W
Количество каналов
1 Channel
Упаковка / блок
PG-SOT-223-4
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Конфигурация
Single
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип транзистора
1 N-Channel
Число контактов
3+Tab
Полярность транзистора
N Канал
Технология
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Id - непрерывный ток утечки
350 mA
Qg - заряд затвора
3.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
240 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Время нарастания
4.1 ns
Время спада
35 ns
Канальный режим
Depletion
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
180 mS
Типичное время задержки выключения
22 нс
Типичное время задержки при включении
4.4 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
240V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
108pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108ВµA
Максимальный непрерывный ток стока
350 mA
Материал транзистора
Кремний
Типичное время задержки включения
4,4 нс
Максимальное сопротивление сток-исток
20 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
240 В
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
3,8 нКл при 5 В
Номер канала
Опускание
Типичная входная емкость при Vds
82 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Рассеиваемая мощность
1.8Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Напряжение Истока-стока Vds
240В
Непрерывный Ток Стока
350мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
4.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.4В
Transistor Mounting
Surface Mount
FET Feature
Depletion Mode
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 359 КБ
Datasheet , pdf
, 596 КБ
Datasheet , pdf
, 447 КБ