BSP129H6327XTSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 240В, 50мА, 1,8Вт, PG-SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 97 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP129H6327XTSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2150649

Технические параметры

Вес, г

Другие названия товара №

BSP129 H6327 SP001058580

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Производитель

Infineon

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

SIPMOSВ® ->

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Длина

6.5мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

BSP129 ->

Высота

1.6мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

PG-SOT-223-4

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

3+Tab

Полярность транзистора

N Канал

Технология

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Id - непрерывный ток утечки

350 mA

Qg - заряд затвора

3.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

240 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Время нарастания

4.1 ns

Время спада

35 ns

Канальный режим

Depletion

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

180 mS

Типичное время задержки выключения

22 нс

Типичное время задержки при включении

4.4 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

350mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

108pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 108ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

350 mA

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

4,4 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

20 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

240 В

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

3,8 нКл при 5 В

Номер канала

Опускание

Типичная входная емкость при Vds

82 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Рассеиваемая мощность

1.8Вт

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Напряжение Истока-стока Vds

240В

Непрерывный Ток Стока

350мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

4.2Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.4В

Transistor Mounting

Surface Mount

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 359 КБ
Datasheet , pdf , 596 КБ
Datasheet , pdf , 447 КБ

BSP129H6327XTSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 240В, 50мА, 1,8Вт, PG-SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 97 руб.

Техническая документация