BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А - характеристики, поставщики

BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Последняя цена 10380 руб.

BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSM75GB120DN2HOSA1

Категория

IGBT

Номенклатурный номер

1759768

Технические параметры

Вес, г

250

Структура

полумост

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

105

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

625

Рабочая температура (Tj), °C

+150(max)

Корпус

HALF-BRIDGE 1

Техническая документация

BSM75GB120DN2 Datasheet , pdf , 307 КБ