ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFR93AE6327, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 90мА, 300мВт, SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFR93AE6327, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 90мА, 300мВт, SOT23
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
BFR93AE6327, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 90мА, 300мВт, SOT23
Последняя цена
55 руб.
Сравнить
Описание
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BFR93AE6327
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2173558
Технические параметры
Вес, г
0.02
Другие названия товара №
BFR93AE6327HTSA1 BFR93AE6327XT SP000011066
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
65 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BFR93
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Тип
RF Bipolar Small Signal
Ширина
1.3 mm
Длина
2.9 mm
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Упаковка / блок
SOT-23
Конфигурация
Single
Тип транзистора
Bipolar
Максимальный постоянный ток коллектора
0.09 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2 V
Полярность транзистора
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
6000 MHz
Технология
Si
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
70 at 30 mA at 8 V