ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BF622.115, Транзистор: NPN - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BF622.115, Транзистор: NPN
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
BF622.115, Транзистор: NPN
Последняя цена
72 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BF622,115
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2074271
Технические параметры
Вес, г
0.1
Другие названия товара №
BF622 T/R
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
65 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Ширина
2.6 mm
Длина
4.6 mm
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6 mm
Pd - рассеивание мощности
1100 mW
Упаковка / блок
SOT-89-3
Конфигурация
Single
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
50 at 25 mA at 20 V
Максимальный постоянный ток коллектора
0.05 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
250 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
250 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Полярность транзистора
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
60 MHz
Transistor Type
NPN
Collector-Emitter Breakdown Voltage
250V
Maximum DC Collector Current
50mA
Pd - Power Dissipation
1.1W
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
50 at 25 mA at 20 V
Техническая документация
Datasheet BF622,115 , pdf
, 316 КБ