ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BD442G, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 4А, 36Вт, TO225 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BD442G, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 4А, 36Вт, TO225
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
BD442G, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 4А, 36Вт, TO225
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 4A 80V 36W PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BD442G
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2157398
Технические параметры
Вес, г
0.5
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
500
Серия
BD442
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Bulk
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Package
Bulk
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Ширина
2.66 mm
Длина
7.74 mm
Вид монтажа
Through Hole
Base Product Number
BD442 ->
Высота
11.04 mm
Pd - рассеивание мощности
36 W
Упаковка / блок
TO-225-3
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-225AA
Конфигурация
Single
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
15
Максимальный постоянный ток коллектора
4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Полярность транзистора
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
3 MHz
Технология
Si
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
3MHz
Power - Max
36W
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 163 КБ
Datasheet , pdf
, 79 КБ
