ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX6816H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 1А, 3Вт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCX6816H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 1А, 3Вт, SOT89
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
BCX6816H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 1А, 3Вт, SOT89
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTORS
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCX6816H6327XTSA1
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2175909
Технические параметры
Вес, г
0.1
Другие названия товара №
BCX 68-16 H6327 SP001125488
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
65 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Вид монтажа
SMD/SMT
Pd - рассеивание мощности
3 W
Упаковка / блок
SOT-89-4
Конфигурация
Single
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
25 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Полярность транзистора
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Техническая документация
Datasheet BCX6816H6327XTSA1 , pdf
, 517 КБ