ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX52.115, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1,35Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCX52.115, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1,35Вт, SOT223
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
BCX52.115, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 1,35Вт, SOT223
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BCX52.115
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2143763
Технические параметры
Вес, г
0.03
Другие названия товара №
BCX52 T/R
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Производитель
Nexperia
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.6мм
Длина
4.6мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Pd - рассеивание мощности
1300 mW
Упаковка / блок
SOT-89-3
Конфигурация
Single
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.5 V
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное рассеяние мощности
1,35 Вт
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Тип транзистора
PNP
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
63
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
63
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Полярность транзистора
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
145 MHz
Transistor Type
PNP
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Maximum DC Collector Current
1A
Pd - Power Dissipation
500mW
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
63 at 5 mA at 2 V
Техническая документация
BCP52_BCX52_BC52PA , pdf
, 1115 КБ
Datasheet , pdf
, 1739 КБ