ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCW67CE6327, Транзистор PNP, биполярный, 32В, 800мА, 330мВт, SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCW67CE6327, Транзистор PNP, биполярный, 32В, 800мА, 330мВт, SOT23
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
BCW67CE6327, Транзистор PNP, биполярный, 32В, 800мА, 330мВт, SOT23
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCW67CE6327
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2164318
Технические параметры
Вес, г
0.06
Другие названия товара №
BCW67CE6327HTSA1 BCW67CE6327XT SP000015037
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
65 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BCW67
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Ширина
1.3 mm
Длина
2.9 mm
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Pd - рассеивание мощности
330 mW
Упаковка / блок
SOT-23-3
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
32 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2 V
Полярность транзистора
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
200 MHz
Непрерывный коллекторный ток
0.8 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 821 КБ