AS6C6264-55SCN, Микросхема памяти, SRAM, 8Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, SOP28, 330mils, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 550 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные

Стат. ОЗУ 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch Стат. ОЗУ

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS6C6264-55SCN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2164221

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 70 C

Минимальная рабочая температура

0 C

Организация

8 k x 8

Тип интерфейса

Parallel

Вид монтажа

SMD/SMT

Время доступа

55 ns

Категория продукта

Стат. ОЗУ

Напряжение питания - макс.

45 mA, 5.5 V

Напряжение питания - мин.

2.7 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

64 kbit

Размер фабричной упаковки

Серия

AS6C6264

Тип продукта

SRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

SOP-28

Access Time

55ns

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

64Kb (8K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

0В°C ~ 70В°C (TA)

Package

Tube

Package / Case

28-SOIC (0.330"", 8.38mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

28-SOP

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

2.7V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

55ns

Вес, г

5.48

Тип

Asynchronous

Тип памяти

SDR

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1437 КБ
Datasheet , pdf , 1574 КБ

AS6C6264-55SCN, Микросхема памяти, SRAM, 8Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, SOP28, 330mils - характеристики, поставщики

Последняя цена 550 руб.

Техническая документация