AS6C4008-55ZIN, Микросхема памяти, SRAM, 512Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, TSOP32 II, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 900 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные

SRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 55 нс, 32 TSOP II

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS6C4008-55ZIN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2123393

Технические параметры

Access Time

55ns

ECCN

3A991B2A

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

4Mb (512K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

32-SOIC (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

32-TSOP II

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

2.7V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

55ns

Вес, г

5.32

Техническая документация

Datasheet , pdf , 717 КБ

AS6C4008-55ZIN, Микросхема памяти, SRAM, 512Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, TSOP32 II - характеристики, поставщики

Последняя цена 900 руб.

Техническая документация