AS6C1008-55PIN, Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, DIP32, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 880 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные

Стат. ОЗУ 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch Стат. ОЗУ

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS6C1008-55PIN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2121605

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 85 C

Минимальная рабочая температура

40 C

Организация

128 k x 8

Тип интерфейса

Parallel

Вид монтажа

Through Hole

Время доступа

55 ns

Категория продукта

Стат. ОЗУ

Напряжение питания - макс.

60 mA, 5.5 V

Напряжение питания - мин.

2.7 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

1 Mbit

Размер фабричной упаковки

Серия

AS6C1008

Тип продукта

SRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

PDIP-32

Access Time

55ns

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

1Mb (128K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tube

Package / Case

32-DIP (0.600"", 15.24mm)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

32-PDIP

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

2.7V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

55ns

Вес, г

5.42

Тип

Asynchronous

Тип памяти

SDR

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2777 КБ
Datasheet , pdf , 2747 КБ

AS6C1008-55PIN, Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, DIP32 - характеристики, поставщики

Последняя цена 880 руб.

Техническая документация