AS4C8M16SA-7TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 610 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы

ИС памяти SDRAM 128 МБ (8M x 16) Параллельный 143 МГц 5,4 нс 54-TSOP II

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS4C8M16SA-7TCN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2129025

Технические параметры

Access Time

5.4ns

Clock Frequency

143MHz

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0002

Memory Format

DRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

128Mb (8M x 16)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

0В°C ~ 70В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

54-TSOP II

Technology

SDRAM

Voltage - Supply

3V ~ 3.6V

Write Cycle Time - Word, Page

14ns

Вес, г

3.3

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1190 КБ

AS4C8M16SA-7TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В - характеристики, поставщики

Последняя цена 610 руб.

Техническая документация