AS4C4M32SA-7TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 830 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы

DRAM SDRAM, 128 МБ, 3,3 В, 143 МГц, 4 МБ x 32

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS4C4M32SA-7TCN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2163877

Технические параметры

Категория продукта

DRAM

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер фабричной упаковки

108

Тип продукта

DRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tray

Access Time

5.4ns

Clock Frequency

143MHz

ECCN

3A991B2A

HTSUS

8542.32.0002

Memory Format

DRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

128Mb (4M x 32)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

0В°C ~ 70В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

86-TFSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

86-TSOP II

Technology

SDRAM

Voltage - Supply

3V ~ 3.6V

Write Cycle Time - Word, Page

2ns

Вес, г

3.02

Тип

SDRAM

Чувствительный к влажности

Yes

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1954 КБ
Datasheet , pdf , 1949 КБ

AS4C4M32SA-7TCN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В - характеристики, поставщики

Последняя цена 830 руб.

Техническая документация